Ο χρόνος οροπεδίου Miller είναι σχεδόν μηδέν (βλ. Εικόνα 3) και η συνολική απώλεια μεταγωγής μειώνεται τουλάχιστον κατά 70%
Oct 19, 2022| Ο χρόνος οροπεδίου Miller είναι σχεδόν μηδέν (βλ. Εικόνα 3) και η συνολική απώλεια μεταγωγής μειώνεται τουλάχιστον κατά 70%
Όπως φαίνεται στον Πίνακα 1, με το ίδιο RDS(ON), το νιτρίδιο του γαλλίου έχει μικρότερη παρασιτική χωρητικότητα και τα Ciss και Crss είναι 1/12 και 1/23 του Si CoolMOS, αντίστοιχα, με αποτέλεσμα μεγαλύτερη ταχύτητα μεταγωγής. Στον βραχίονα γρήγορης γέφυρας BTPPFC, ο χρόνος επικάλυψης ρεύματος και τάσης μειώνεται περισσότερο από 88% (βλ. Εικόνα 2). Ο χρόνος οροπεδίου Miller είναι σχεδόν μηδενικός (βλ. Εικόνα 3) και η συνολική απώλεια μεταγωγής μειώνεται κατά τουλάχιστον 70%.
Το Coss του InnoGaN είναι μικρότερο και έχει καλύτερη γραμμικότητα (βλ. Εικόνα 4). Όταν το Vds είναι χαμηλό, το Coss του GaN είναι πολύ μικρότερο από αυτό του Si MOS και το Si θα έχει μια διαδικασία μετάλλαξης κλίσης. Μπορεί να φανεί από την κυματομορφή του συστήματος ότι η απώλεια επικάλυψης μεταγωγής του GaN είναι πολύ μικρότερη από αυτή του Si MOS και το Dv/dt του GaN στο τμήμα t2-t3 είναι μικρότερο από αυτό του Si MOS, επομένως το Ο θόρυβος EMI που δημιουργείται είναι επίσης μικρότερος.
