Αρχή ενίσχυσης

Η Shenzhen Shenchuang Hi-tech Electronics Co., Ltd (SChitec) είναι μια επιχείρηση υψηλής τεχνολογίας που ειδικεύεται στην παραγωγή και πωλήσεις αξεσουάρ τηλεφώνου. Τα κύρια προϊόντα μας περιλαμβάνουν φορτιστές ταξιδιού, φορτιστές αυτοκινήτου, καλώδια USB, power banks και άλλα ψηφιακά προϊόντα. Όλα τα προϊόντα είναι ασφαλή και αξιόπιστα, με μοναδικά στυλ. Τα προϊόντα περνούν πιστοποιητικά όπως CE, FCC, ROHS, UL, PSE, C-Tick, κ.λπ. , Εάν ενδιαφέρεστε, μπορείτε να επικοινωνήσετε απευθείας με το ceo@schitec.com. 

Μείνετε στη φόρτιση με ασφάλεια με το SChitec

Αρχή ενίσχυσης

1. Η περιοχή εκτόξευσης εκπέμπει ηλεκτρόνια στην περιοχή βάσης

Η πηγή ενέργειας Ub εφαρμόζεται στη διασταύρωση εκπομπού μέσω της αντίστασης Rb και η διασταύρωση εκπομπού είναι πολωμένη προς τα εμπρός και οι περισσότεροι φορείς (ελεύθερα ηλεκτρόνια) στην περιοχή εκπομπού διασχίζουν συνεχώς τη διασταύρωση εκπομπού στην περιοχή βάσης για να σχηματίσουν το ρεύμα εκπομπού, π.χ. . Ταυτόχρονα, οι περισσότεροι από τους φορείς στην περιοχή βάσης διαχέονται επίσης στην περιοχή εκπομπής. Ωστόσο, δεδομένου ότι η συγκέντρωση του κύριου φορέα είναι πολύ χαμηλότερη από τη συγκέντρωση του φορέα στην περιοχή εκπομπού, αυτό το ρεύμα μπορεί να αγνοηθεί. Ως εκ τούτου, μπορεί να θεωρηθεί ότι η διασταύρωση εκπομπού είναι κυρίως ένα ρεύμα ηλεκτρονίων.

2. Διάχυση και ανασυνδυασμός ηλεκτρονίων στην περιοχή βάσης

Αφού το ηλεκτρόνιο εισέλθει στην περιοχή βάσης, είναι πυκνό κοντά στη διασταύρωση του εκπομπού και σταδιακά σχηματίζει μια διαφορά συγκέντρωσης ηλεκτρονίων. Υπό την επίδραση της διαφοράς συγκέντρωσης, η ροή ηλεκτρονίων προκαλείται να διαχέεται στη διασταύρωση συλλέκτη στην περιοχή βάσης και το ηλεκτρικό πεδίο του συλλέκτη έλκεται στον συλλέκτη ρεύματος. Η περιοχή σχηματίζει ένα συλλεκτικό ρεύμα Ic. Υπάρχει επίσης ένα μικρό κλάσμα ηλεκτρονίων (επειδή η περιοχή βάσης είναι πολύ λεπτή) ανασυνδυασμένα με τις οπές στην περιοχή βάσης και η αναλογία της διάχυτης ροής ηλεκτρονίων προς τη σύνθετη ροή ηλεκτρονίων καθορίζει την ικανότητα ενίσχυσης της τριόδου.

3. Συλλογή ηλεκτρικής ενέργειας στον χώρο του συλλέκτη

Δεδομένου ότι η διασταύρωση του συλλέκτη συν την αντίστροφη τάση είναι μεγάλη, η δύναμη ηλεκτρικού πεδίου που δημιουργείται από αυτήν την αντίστροφη τάση θα εμποδίσει τη διάχυση των ηλεκτρονίων στην περιοχή του συλλέκτη στην περιοχή βάσης και ταυτόχρονα τα ηλεκτρόνια που διαχέονται στην περιοχή του συλλέκτη διασταύρωση έλκονται στην περιοχή του συλλέκτη για να σχηματίσουν ένα κύριο συλλέκτη. Τρέχον Icn. Επιπλέον, οι μειοψηφικοί φορείς (οπές) στην περιοχή του συλλέκτη παράγουν επίσης κίνηση μετατόπισης, η οποία ρέει προς την περιοχή βάσης για να σχηματίσει ένα αντίστροφο ρεύμα κορεσμού, το οποίο αντιπροσωπεύεται από το Icbo, το οποίο είναι μικρό σε τιμή αλλά εξαιρετικά ευαίσθητο στη θερμοκρασία.