Βασική ερμηνεία της τριόδου
Nov 02, 2019|
Μείνετε στη φόρτιση με ασφάλεια με το SChitec
Βασική ερμηνεία της τριόδου
Το τρανζίστορ [1] (γνωστό και ως τρανζίστορ) είναι ένας γενικός όρος για τον ενισχυτή τριών ακίδων στην κινεζική έννοια. Το τρίοδο που λέμε συχνά μπορεί να είναι πολλές συσκευές όπως φαίνεται.
Μπορεί να φανεί ότι παρόλο που ονομάζονται τρίοδοι, τα ρητά στα αγγλικά είναι πολύ διαφορετικά. Ο όρος τρίοδος είναι στην πραγματικότητα ένα μεταφορικό λεξιλόγιο μοναδικό στα Κινέζικα.
"Triode" (Ηλεκτρονικό Τρανζίστορ) Αυτή είναι η μόνη αγγλική μετάφραση του "triode" στο Αγγλο-Κινεζικό λεξικό. Σχετίζεται με την αρχική εμφάνιση της ηλεκτρονικής τριόδου. Είναι το αρχικό στοιχείο της λέξης τρίοδος. Οι υπόλοιπες συσκευές που ονομάζονται triode στα κινέζικα δεν μπορούν να μεταφραστούν σε Triodes όταν μεταφραστούν πραγματικά.
Ηλεκτρονικό τρίοδο Triode (κοινώς γνωστό ως σωλήνας)
Διπολικό τρανζίστορ BJT (Διπολικό τρανζίστορ σύνδεσης)
Τρανζίστορ εφέ πεδίου τύπου J Πύλη διακλάδωσης FET (Τρανζίστορ εφέ πεδίου)
Τρανζίστορ φαινομένου πεδίου ημιαγώγιμου οξειδίου μετάλλου
Τρανζίστορ εφέ πεδίου τάφρου τύπου V VMOS (Vertical Metal Oxide Semiconductor)
Σημείωση: Και τα τρία φαίνεται να είναι FET. Στην πραγματικότητα, τα MOSFET και τα FET καναλιού V είναι Μονοπολικά και αντιστοιχούν σε Διπολικά. Μπορούν επίσης να αναφέρονται συλλογικά ως Μονοπολικά Τρανζίστορ Διασταύρωσης.
Το FET τύπου J είναι ένα μη μονωμένο FET και τόσο το MOS FET όσο και το VMOS είναι μονωμένα FET.
Το VMOS είναι ένας νέος τύπος τρανζίστορ ισχύος υψηλού ρεύματος, υψηλής μεγέθυνσης (διακαναλικής) που έχει βελτιωθεί με βάση το MOS. Η διαφορά είναι ότι η υποδοχή σχήματος V χρησιμοποιείται για να αυξήσει σημαντικά τον συντελεστή ενίσχυσης και το ρεύμα λειτουργίας του τρανζίστορ MOS, αλλά αυξάνεται επίσης σημαντικά. Η χωρητικότητα εισόδου του MOS είναι ένα βελτιωμένο προϊόν υψηλής ισχύος του σωλήνα MOS, αλλά η δομή ήταν πολύ διαφορετική από το παραδοσιακό MOS. Το VMOS είναι μόνο βελτιωμένο και δεν έχει τρανζίστορ εξάντλησης MOS που είναι μοναδικό για το MOS.


